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Photo-definable Dielectric PR for Semiconductor

为应对第四次工业革命导致的人工智能半导体市场爆发性增长带来的变化,可适用于新概念3D-IC集成及FOWLP(Fan-Out PKG)技术的绝缘材料,是耐热性、耐化学性、机械特性、电气特性优秀的PR材料。是基于耐热性优秀、热膨胀系数(CTE)和诱电率低的PSPI (Photo-Sensitive PolyImide)材料开发出的产品,为了改善高集成半导体封装工程上有可能发生的warpage问题,可采用低温Photo-lithography工程的感光性材料。 Photo-definable Dielectric PR